在2006年2月中市场便传出三星电子（Samsung Electronics）为因应市场对DDRII需求，因而将部份产能由NAND型快闪记忆体（Flash）重新转回DDRII，但这样产能转换效益并未出现，反倒是DRAM市场已出现供不应求状态，DRAM现货价未见持续走跌，反逆势大涨，4日eTT（有效测试）报价正式突破2美元，且4月上半合约价走势更优于预期，先前现货市场客户因怕库存跌价损失，均不敢大量买货，此次则因现货市场买气出现，因而造成现货市场价格暴涨，一般预料这波涨势相当可期。
      　原本三星在2005年第四季便全力将产能由DRAM转进到NAND型Flash，目的是希望藉由这样的手段，达到吓阻竞争对手低价竞争的目的，同时亦希望藉此巩固NAND型Flash市场龙头地位。不过到2006年季上半，市场却误传三星将生产计画做出重大调配，数以万片的NAND型Flash月产能，调拨回去生产DDRII，且预计这样产能转换效应将自4月起陆续发酵，但如今这样预期非但没有成真，反倒出现截然不同的状态。
      　NAND型Flash价格自年初以来，大多呈现涨少跌多状态，到季底左右NAND型Flash价格已跌价近50％，相反的，DRAM颗粒报价却出乎市场预期，非但未见价格重大下滑，无论是在合约价及现货价，均优于市场预期，跌破市场分析师眼镜。究其因，恐与当初释放出三星调回DDRII产能的“烟雾弹”脱不了关系，造成市场误判。
      　根据周二（4日）收盘时报价指出，eTT的DRAM报价近2日涨势相当凶猛，主要原因在于三星未将产能由NAND型Flash转进标准型DRAM，而此一后续效应目前已开始发酵，就连原本在DRAM现货市场显得泠清的DDRII，同样已出现止跌回升讯号，代表DRAM市场似乎开始进入雨过天晴状态。
      　DRAM厂则指出，原本市场预期4月周力晶（5346）便会开盘将DRAM颗粒卖出，不过这样的预期却完全出乎意料之外，力晶非但未如当初所预期开盘卖出，更将手上货源全盘锁货，导致下游客户端无货可买，据了解，目前买盘尤其是美国市场部份，由于美光（Micron）在DRAM产出量转进NAND型Flash而出现减少，美国现货市场客户为了买货纷纷追回亚洲市场补货，在此供应减少、需求增加的情况下，自然造成DRAM现货市场价格狂飙状态。
      　周二美光股价大涨4.96％，三星、海力士（Hynix）亦劲扬，DRAM类股全面走升，继华亚科（3474）公布3月营收创下历史新高后，力晶、茂德（5387）、南亚科（2408）也将陆续公布财报，由于四雄3月营收全数成长，加上本月DRAM价格持续走稳，产业景气有落底回温迹象。