今天，三星宣布量产70nm工艺制造的1GB Nand闪存。NAND闪存将被运用多种数字产品以及移动硬盘。

    三星表示今年利用NAND闪存优势的装置将会变得越来越多，并且将会在2007年取得更大的影响。此前我们报道过，Intel的下一代移动平台将会用Nand Flash加速系统启动，减少耗电量。闪存的速度大幅改进，根据三星电子表示他的Nand闪存能够达到108M/s的持续读取速度。