全球的芯片制造商英特尔公司日前表示，公司将利用的制造工艺，生产密度提高一倍、存储容量达1GB的 NOR闪存芯片。
 
       英特尔公司闪存芯片团队副总裁兼总经理Brian Harrison表示，英特尔公司65纳米制造工艺的 NOR闪存芯片样品将在本季度问世，预期今年年底新的闪存芯片能够大量向手机制造商提供。采用65纳米制造工艺的新型NOR 闪存芯片的存储容量可以达到1GB，而当前采用90纳米制造工艺生产的闪存芯片储存容量为512MB。

       Harrison指出，英特尔公司通过采用堆叠技术目前可以销售储存容量为2GB的 NOR闪存芯片。随着时间的推移，在采用45纳米制造工艺后，储存容量高达2GB闪存芯片的成本效益更高。

       闪存芯片不象DRAM储存芯片那样保存数据需要不断的提供电能，它也和硬盘的构造不同，没有旋转的部分。因此闪存芯片被消费者广泛用于手机、PDA和其他电子装置中。由于NOR 型闪存芯片的可靠性和更快的读取数据速度，它已经成为手机行业的储存芯片。

       NAND闪存芯片的功能表现得更为强劲，它更大的存储密度和更高的书写速度在储存卡和其他储存装置中获得了优势。市场调研机构iSuppli公司的调查统计数据显示，在今年全部闪存产品的销售收入中，NAND闪存芯片的比例预期将达到69%。而2004年NAND闪存芯片在整个收入中所占的比例为45%。

       英特尔公司与美光科技公司通过建立合资闪存企业进入了闪存市场，苹果计算机公司的的数字音乐播放器iPod nano和Shuffle极大的推动了NAND闪存芯片市场的需求。苹果计算机公司已经成为英特尔公司和 美光科技公司合资闪存企业的客户。