Rohm日前开发出采用导通电阻降至约为原来一半的SiC的功率MOSFET，并将于2006年内供应工业样品。耐电压900V，导通电阻为3.1mΩ.cm2。在SiC MOSFET中，导通电阻为全球小，只有耐电压相同、采用硅的DMOS的约1/80或IGBT的约1/6。主要面向工业设备及混合动力车的马达驱动电路及电源电路等。  

    据介绍，此次为降低导通电阻而进行的改进主要有2点。一是减小了芯片上集成的多个功率MOSFET单元的体积。单元面积从原来的16μm×16μm减小到了10μm×10μm。另一点是采用了可将沟道载流子迁移率提高至原来3倍～4倍的栅极绝缘膜形成工艺。  

    试制品的芯片尺寸为0.9mm×0.9mm。该公司介绍，通过将导通电阻大约降至原来的一半，成功地将芯片面积减小到了1/3～1/2左右。 

来源：电子工程专辑